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Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 200mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 500mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 35 @ 10mA, 1V |
功率 - 最大 | 350mW |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
包装材料 | Bulk |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 4.5 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 15 V |
集电极最大直流电流 | 0.2 A |
直流集电极/增益hfe最小值 | 35 |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装/外壳 | TO-92 |
连续集电极电流 | 0.2 A |
直流电流增益hFE最大值 | 120 |
最大功率耗散 | 350 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
封装 | Bulk |
工厂包装数量 | 2000 |
寿命 | End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer. |
集电极最大直流电流 | 0.2 |
最小直流电流增益 | 35@10mA@1V|30@30mA@0.4V|18@100mA@1V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-92 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 350 |
最大基地发射极电压 | 4.5 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 40 |
供应商封装形式 | TO-92 |
最大集电极发射极电压 | 15 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 200mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 10mA, 100mA |
标准包装 | 2,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
供应商设备封装 | TO-92-3 |
功率 - 最大 | 350mW |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 35 @ 10mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
PN4275也可以通过以下分类找到